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大国重器,存储之道

来源:http://www.workrewired.com 作者:电工电气 人气:136 发布时间:2020-03-24
摘要:    工业和信息化部“集成电路产业紧缺人才创新发展”高级研修班通知 在DRAM供货吃紧的情况下,其再次出现价格疯涨现象。据业者估计,2017年DRAM整体价格涨幅将高达39%,在智能手机

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    工业和信息化部“集成电路产业紧缺人才创新发展”高级研修班通知

在DRAM供货吃紧的情况下,其再次出现价格疯涨现象。据业者估计,2017年DRAM整体价格涨幅将高达39%,在智能手机存储器容量提升以及服务器需求的驱动下,明年将出现持续增长现象。 据市场调查数据显示,2016年第四季度DRAM供不应求,带动2017年第一季度上涨30%以上。以DRAM市场整体走向来看,今年第三季度平均涨幅约7%,未来第四季度涨幅约5%-10%,虽然涨幅依旧,但是至2018年,涨幅会逐渐趋于平稳,相比2017年,涨幅不会太大。 DRAM连续一年涨幅的主要原因为以下几点,其一,近年来,小米、华为以及OPPO等国产手机开始走中高端路线。其二,数据中心的服务器对于DRAM需求加强。其三,DRAM产业制程接近极限,技术研发难度增加,导致供货短缺。 至于NAND Flash走势情况,据业者分析,在今年第四季度苹果需求的冲击下,其缺口会逐渐扩大,但是除苹果外,其余手机厂商对于NAND Flash并没有需求,所以其整体相对于第三季度会处于平衡状态。明年第一季度为传统淡季,整体价格可能会不升反降。 在芯片市场的冲击下,三星电子、美光科技以及SK海力士等三大巨头直接霸占了90%以上的市场份额,强势控制价格增长的比率。至于国内外其余芯片企业,则“分羹”较少,处于紧追猛赶的状态,但整体来看,国内外市场短期内也是呈现欣欣向荣之景。 三星的布局 在经历Galaxy Note 7手机爆炸的影响后,三星对于产品质量以及生产过程有了严格的把控,借助于DRAM市场涨势,三星渐渐“恢复元气”。作为全球最大的DRAM芯片制造商,三星无疑是这场涨势中最大的受益者,据第二季业绩展望报告显示,其营业利润再创新高,同比增长约72%,预计未来第三季度将持续增长。 据了解,苹果、OPPO、三星以及Vivo已经承包了三星DRAM近70%的产量,而三星由于3D NAND Flash制程良率以及相关印刷电路板材料短缺的问题,使得DRAM供应短缺更加严重。 对于新技术研发方面,三星似乎早有布局。据消息称,三星目前正在研发17nmDRAM,预计明年将进入量产阶段。同时,三星也展开了16nmDRAM的研发,不过最快量产时间也将在2020年,毕竟随着制程技术提升,后面的研发难度会越来越大。而且三星预测15nm将接近DRAM的物理极限,未来将很长时间开发新材质,提升制程稳定性以便于缩小线宽。

    日前,三星210亿美元砸向存储器的数字再次刺痛了不少中国半导体业者的眼睛,而紫光集团赵伟国在央视《对话》中的言语,似乎又给了业者希望:中国的存储器之战已打响......

以目前市场来看,Galaxy Note 8的预定量再创历史新高,而且iPhone X所搭载的OLED屏幕均来自于三星,故三星第三季度的营收数据肯定不会太差,据消息透漏,三星将于月底公布营收的详细结果。

三星210亿美元投资存储器

美光建设新厂 研发全新技术

IC Insights 14日发表研究报告指出,今年全球半导体资本支出有望成长35%至908亿美元,其中三星今年的支出高达260亿美元、远多于去年的113亿美元,比英特尔、台积电加总起来还要多。

此前,美光科技DRAM大厂台湾桃园厂区由于氮气泄露的原因,造成5000至1万片的晶圆直接报废,4万片晶圆则被视为次级品或者报废品。好在公司迅速解决并恢复正常生产运作,对于其之后的产能并没有太大的影响。

IC Insights总裁Bill McClean指出,其追踪半导体产业这37年来,从未看过如此积极的资本支出计划,三星今年的支出规模,在半导体业界可说是史无前例。(图为三星历年支出统计)

8月14日,美光在总部举办活动庆祝新厂建设成功。据悉,这个工厂主要用于美光研发全新内存以及存储技术,美光技术开发执行副总裁ScottDeBoer表示,美光的主要DRAM技术研发中心已经转入其日本广岛的制造工厂,未来将加快3D NAND以及DRAM全新技术的研发。 受惠于DRAM市场的涨潮,美光预计2017年会计年度第四季营收同比增长91%,高达61.38亿美元,且对于2017年底营收的展望远超市场预期,预估为63亿美元左右。美光执行长SanjayMehrotra表示,美光1X纳米DRAM以及64层3D NAND的良率将于今年年底达到稳定阶段,从产业目前情况来看,今年年底前,DRAM以及NAND Flash都将供不应求。 SK海力士强势出击 对于内存与存储器市场,SK海力士则表现的极为“豪气”,直接出资86.1亿美元进行3D NAND Flash以及DRAM扩产,似乎是市场趋势一片大好的原因,SK海力士将两厂扩产竣工的时间直接缩短至明年第四季度。 据了解,此次SK海力士扩产主要用于技术升级,产能至多提升3%-5%,相对于美光来说,这更像是一场新技术研发速度的比赛,毕竟美光刚建设新厂不久,两者建设新厂的目的似乎不谋而合。 在产品研发上,SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片,并于4月再次推出AI、VR以及自动驾驶等显示器专用的超高绘图存储器DRAM–Graphics DDR6。 在NAND Flash 产品方面,美光成功开发出72层堆叠芯片,相比于上一代48层堆叠芯片,其运行速度提升2倍,读写性能提升了20%,生产效能也增长了30%,目前已经开始量产。 总结: 在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的情况下,三星电子、美光科技以及SK海力士等三大巨头并未满足于现状,而是不断研发全新产品。在这场角逐中,或许他们三者都是赢家。

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hga025手机版,  IC Insights估计,三星今年的260亿美元半导体支出当中,140亿美元会分配给3D NAND、70亿美元分配给DRAM、50亿美元分配给专业晶圆代工(用来扩充10纳米制程产能)。

然而,三星在存储器所砸下重本的同时,存储器更让三星赚得盘满钵满。

赵伟国:存储之战是中国紫光也是中国半导体制造的最核心之战

11月19日,央视财经频道《对话》栏目播出了与紫光集团赵伟国的采访对话。

在节目中,赵伟国就展示了三种芯片:第一种是存储器,第二种是手机处理器。此外,他还展示了一枚特殊的芯片,他说:“这枚芯片价值10亿美元。这是一枚32层64G存储芯片,是长江存储1000人干了2年时间研发出来的。”

    以下为采访对话节选:

主持人:存储是不是在芯片这个领域当中算是金字塔顶端的技术了?

赵伟国:它所占的比重很大,整个集成电路产值里面,以CPU包括像我们知道的英特尔X86,还有手机上高通、联发科、展讯这些手机基带,这些加起来大概占三分之一的产值,存储占了另外三分之一,其他的芯片加在一起才占三分之一,所以存储是一个,尤其对中国来说是个兵家必争之地,因为它的规模很大,应用非常广泛,而且在中国市场增长非常迅速。

在节目中,赵伟国还谈到了之前紫光收购美光一事:

赵伟国:之前我们秘密发出了对美光的收购要约,在这一天我们基本确定了美国政府不会批准。为什么说失败是好事呢?说明了存储的价值,证明我们的战略是对的。美国白宫报告中提到:抑制中国半导体产业的发展。美光是全球第三的存储芯片企业,也是美国硕果仅存的存储芯片企业了,战略地位非常重要。

我们已经预计到美国政府可能会不批准,但是我们为什么还要继续做这件事呢?第一如果他批准,我会节约很多时间,第二我们既然下决心要在存储领域打一场大战,有时候是明修栈道暗度陈仓,一场奇袭,有时候要大张旗鼓,中国有句话讲,“插起招军旗,才有吃粮人“这种情况下,我要在全世界聚集最优秀的人才资源来支撑我,我要把旗子亮起来。

主持人:于先生,你觉得赵总是个什么风格的人?

于英涛:从芯这个角度来说,他讲过一句话:芯片虽然没印国旗,但是是有国籍的。这话非常到位,这是他对产业的理解,以及对整个世界经济、芯片行业在现今当中几个超级大国在争夺芯片的话语权的理解。我算是企业家里面胆子比较大的,但是我在他的位置上,我会天天睡不着觉的。因为他把所有的个人的身家性命,全部压到了这个芯片上,成功了他将是个留名千古的企业家,失败了,他什么都没了。

赵伟国:我之所以敢把所有都压上去,是因为我认为我能把这件事做成,因为这不仅仅是我个人的财富问题,它也关系到国家战略的实现,其实个人的钱没有了是小事情,如果国家把这么大一件事情主要的希望寄托在你肩上,如果你不能做成,那就不仅是财富损失,你会成为国家民族罪人。

主持人:那到目前为止,这个战役的进展如何?

赵伟国:刚才我展示了这个存储芯片,目前这个存储之战,是中国紫光也是中国半导体制造的最核心之战,现在整个战斗的进程基本上是按照我们的预期在向前演进。

主持人:那它意味着我们和国际最领先的水平之间的差距缩小了多少?

赵伟国:如果说第一名是奔驰宝马的话,排第二的大概是奥迪,我想到19年我们就达到帕萨特的水平,它跟奔驰宝马还是差一些,但是基本上都有了,相当于在市场上有一席之地了。

韩美大厂垄断下的存储器市场

2016年全球半导体的销售额之和为3389.31亿美元,其中集成电路为2766.98亿美元,占82%(注意集成电路是半导体的一部分)。但存储器市场容量约780-800亿美元,占全球半导体市场的23%,是仅次于逻辑电路的第二大产品。

从存储器的种类看,主要分DRAM和Flash,2016年DARM市场容量约414亿美元, NAND Flash约346亿美元, Nor Flash市场容量较小,约33亿美元。据预测2017年,DRAM市场将达到720亿美元的规模,DRAM预计将成为2017年半导体行业最大的单一产品类别,超出NAND闪存市场(498亿美元)222亿美元

根据IC Insights 在 2016 年推出的调查报告,目前全世界前十大半导体厂商中,从事内存和闪存芯片的设计与制造的,主要有5家:三星电子、SK 海力士、英特尔、镁光科技、东芝半导体,韩国和美国的厂商,几乎已经垄断了全球的存储器市场。

DRAM方面,根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示2017年第三季度DRAM产业营收数据显示,三星、SK海力士两大韩厂的市占各为45.8%与28.7%,合计已囊括74.5%的市占率。美光市占21.0%,三家企业的市占率已达95.5%。

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NAND Flash方面,同为集邦咨询半导体研究中心数据,2017年全球NAND Flash品牌厂商产能市占率中,三星占据36.9%、东芝及西数占据34.4%,加上SK海力士、美光及英特尔,五大厂商垄断市场。

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Nor Flash方面,同为集邦咨询半导体研究中心2017年6月数据,2016年全球市场份额美国Cypress第一25%、台湾旺宏第二24%、美光第三18%、台湾华邦第四17%、我国兆易创新第五7%。

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以上可见,在占据绝大部分市场容量的DRAM和NAND Flash方面,中国基本为零,仅在市场容量不及DRAM 1/10容量的Nor Flash上有兆易创新入围。

2017年存储器疯狂增长,让韩国成为全球半导体领域增长最快的国家。根据ICinsight 2017年10月的预计,2017年NAND闪存市场强势增长44%,DRAM市场更是逆天增长74%,两相加持之下,带动2017年IC市场将实现强劲增长22%,2017年存储器占世界半导体的份额将从23%变成30%。

由于市场需求的激增及韩美大厂的垄断,今年存储器价格上涨现象极其严重。集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究协理吴雅婷指出,以主流标准型内存模组(DDR44GB)合约价为例,从去年中开始起涨,由当时的13美元均价拉升至今年第四季度合约价30.5美元,报价连续6个季度增长,合计涨幅超过130%,带动相关DRAM大厂获利能力大幅提升。

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