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英特尔中国大连二期工厂的96层3D NAND闪存投产

来源:http://www.workrewired.com 作者:电工电气 人气:178 发布时间:2019-11-06
摘要:【 电工电气 网】讯 英特尔周一宣布,下一世代3DXPoint存储器芯片的研发计划,将转移阵地至新墨西哥州厂。据新墨西哥州长SusanaMartinez表示,英特尔变更布局将为当地带来逾100个新工作

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英特尔周一宣布,下一世代3D XPoint存储器芯片的研发计划,将转移阵地至新墨西哥州厂。据新墨西哥州长Susana Martinez表示,英特尔变更布局将为当地带来逾100个新工作机会。

据9月25日消息,英特尔公司三年前宣布将中国大连的Fab 68晶圆厂改造为NAND工厂,总投资55亿美元,现在二期工厂已经投产了,主要生存96层堆栈的3D NAND闪存。在英特尔的转型业务中,存储芯片业务未来会占据更多的比重,尽管目前营收的绝对主力是客户端及数据中心处理器。英特尔的闪存业务是跟美光合资的,也就是IMFT公司,不过IMFT现在是美光为主,在第四代3DNAND闪存及第二代3X XPoint闪存之后,英特尔将与美光公司和平分手,双方各自研发、生产自家的闪存芯片。

英特尔与美光于2015年携手开发3D XPoint存储器芯片,英特尔的Optane存储器就是以3D XPoint技术打造。不过,今年两公司已决定分道扬镳,意味着英特尔必须独立研发新技术。

在全球NAND闪存市场上,三星份额达到37%,东芝、西数分别在20%、15%左右,其次是美光、SK Hynix,英特尔是六家厂商中份额最少的,不足10%,这也导致英特尔的NAND闪存及SSD硬盘主打企业级市场,消费级SSD就是玩玩,影响力远不如三星、东芝、美光等,根源问题则是英特尔没有独立的NAND闪存产能。

新墨西哥厂建于1980年,英特尔至今已投入150亿美元在该厂研发先进制程。英特尔厂长Katie Prouty表示,新存储器技术将是有许多产品的基础。

2015年英特尔宣布将在中国大连的Fab 68工厂建设二期工程,主要生产非易失性存储器,也就是NAND闪存,项目总投资不超过55亿美元。如今经过三年的建设,Fab 68二期工厂正式投产,主要生产96层3D NAND闪存,这也意味着英特尔未来的3D NAND闪存产能将会大增。

英特尔新墨西哥厂目前有超过1,100名员工,2017年度财报显示,该厂资本支出增加400万美元、成为4,700万美元。

2015年10月21日消息,据外电报道,英特尔表示,该公司计划让位于大连的半导体制造工厂转产存储芯片。在未来的三至五年内,该工厂的转产将为英特尔带来至少35亿美元的支出。英特尔称,该公司对大连工厂的投资最高将达到55亿美元。英特尔大连工厂的转产,正值全球芯片产业掀起整合浪潮之时。中国当前正加速打造本地技术制造能力。

hga025手机版,长期以来,英特尔的绝大多数营收都来自于计算机处理器和相关芯片业务。这家公司一直通过严格的控制制造技术,来防止竞争对手的抄袭。英特尔大连工厂虽然创办于2010年,但是在制造工艺上却落后于其它英特尔工厂两代以上。英特尔表示,通过对该工厂的转产投资,它将成为领先的非易失性存储芯片制造商。非易失性存储芯片是指在断电的情况下,芯片依旧能够保存数据。

非易失性存储芯片包括了目前被广泛应用于智能手机、平板电脑的闪存芯片。英特尔此举不仅表明将进军存储芯片市场,而且会让存储芯片业务拥有更大的独立性。英特尔目前通过与美光的合资公司制造闪存芯片。该公司制造的产品,被英特尔用于硬盘和其它存储设备当中。英特尔和美光最近开发出3D NAND闪存技术。不同于将存储芯片放置在单面,英特尔和美光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来,单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间。英特尔表示,大连工厂预计将从2016年下半年开始生产3D NAND闪存芯片。

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